Алуминиев нитрид субстрат
Алуминиевият нитрид (ALN) е усъвършенстван керамичен материал, ценен заради изключителната си топлинна проводимост и електрическите изолационни свойства . С характеристиките на производителността между алуминиев и берилия, ALN се превърна в критичен материал за електроника с висока мощност и взискателни приложения за термично управление .}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}}})
Ключови свойства на алуминиевите нитридни субстрати
| Собственост | Стойност/рейтинг | Значимост |
|---|---|---|
| Топлинна проводимост | 170-220 W/m·K | Превъзходно алуминиев (20-30 w/m · k) |
| Електрическо съпротивление | >10⁴ Ω · cm | Отличен изолатор |
| Коефициент на термично разширение | 4.5 ppm/ степен | Съвпада със силиций (4.2 ppm/ степен) |
| Диелектрична якост | 15-20 kv/mm | Високо съпротивление на напрежението |
| Сила на гъвкавост | 300-400 MPA | Добра механична издръжливост |
| Максимална температура на обслужване | >1, 000 степен | Висока температурна стабилност |
Основни предимства на ALN
✓ Превъзходно термично управление (5-10 x по -добре от алуминиев оксид)
✓ Перфектен CTE мач за силиций/sic полупроводници
✓ Надеждна ефективност с висока мощност в сурови среди
✓ Безопасна екологично алтернатива на Берилия (BEO)
✓ Отлични високочестотни характеристики за RF приложения
-
Aln керамични субстратиЕлемент: Aln Ceramic SubstratesПовече
Материал: aln
Размер: 120 мм х 120 мм, дебелина по -голяма или равна на 0,1 мм
Форма: квадратна и персонализирана
Процес: сухо натискане или зарязване...
Приложения на алуминиеви нитридни (ALN) субстрати
| Индустриален сектор | Ключови приложения | Конкретни примери |
|---|---|---|
| Електроника и захранващи устройства | Пакети за електроника за електроника LED субстрати RF/микровълнови компоненти Лазерно термично управление |
Igbts, mosfets Светодиоди с висока мощност/UV 5G компоненти Диодни радиатори |
| Автомобилно и аерокосмическо пространство | Системи за електрически превозни средства Телекомуникации Космически приложения |
Модули за захранване 5G базови станции Satellite Comm Systems |
| Индустриална и енергия | Полупроводниково производство Сензорна технология Енергийни системи |
Оборудване за обработка на вафли Сензори с висока температура Слънчеви/вятърни енергийни системи |
Производствен процес на ALN субстрати
| Етап на процеса | Методи и параметри | Технически подробности |
|---|---|---|
| 1. Синтез на прах | Директно нитридация Карботермално намаляване |
Al + n₂ @ 800-1200 степен Al₂o₃ + c + n₂ → 2aln + 3 co |
| 2. Методи за формиране | Касета за лента Сухо натискане Изостатично натискане |
0.25-1 мм дебелина Прости форми Сложни геометрии |
| 3. синтероване | Температурен диапазон Помощ за синтероване Атмосфера |
1700-1900 степен Y₂o₃/cao (3-5%) N₂/Намаляване на газ |
| 4. след обработка | Лазерна обработка Повърхностна обработка Довършителни работи |
Прецизно рязане TI/PD/AU метализация RA <0,1 μm лак |
Сравнителни свойства на керамичните субстрати
| Материал | Топлинна проводимост (w/m · k) | CTE (ppm/ степен) | Фактор на разходите | Ключово предимство |
|---|---|---|---|---|
| Aln | 170-220 | 4.5 | Високо | Най-добри нетоксични термични показатели |
| Al₂o₃ | 20-30 | 8.0 | Ниско | Рентабилен стандарт |
| Бео | 250-300 | 7.5 | Много високо | Най -висока проводимост (токсична) |
| Si₃n₄ | 20-30 | 3.2 | Среден | Най -добра механична якост |
Ние сме професионални производители и доставчици на алуминиеви нитриди в Китай, специализирани в предоставянето на висококачествено обслужване по поръчка . Ние сърдечно ви приветстваме в алуминиев субстрат на едро на едро на нашата фабрика .












