Si3N4 субстрат

Елемент: Si3N4 субстрат
Материал: SI3N4
Размер: 190*140*0,32 мм, персонализиран
Форма: Персонализирана
Процес: Изостатично натискане, високотемпературно синтероване, горещо изостатично натискане, прецизна обработка, повърхностно полиране

Изпрати запитване

Чат сега

Описание на продуктите

Основна информация

Si3N4 substrates have high strength, high thermal conductivity, high temperature resistance, high wear resistance, oxidation resistance, low thermal expansion coefficient, and thermal shock resistance. At the same time, they have good air tightness. They can isolate water vapor, oxygen, and dust, making them the best material for high-power semiconductor device substrates and widely used in Интегрирани с мощност вериги .

Advanced Materials Chipnano предлага разнообразие от керамични продукти от силициев нитрид, включително Si3N4 субстрати, тръби, листове, пръти, плочи, пръстени, тигели, персонализирани части и т.н. .

Свойства на субстрата на силициевия нитрид

-ОСЛЕДНА СЪЗДАВАНЕ НА ТЕМПЕРМЕНТИРАНЕ

Силиконовите нитридни керамични субстрати са изключително устойчиви на високи температури и тяхната сила може да се поддържа при висока температура от 1200 градуса, без да намалява . Дори когато се нагрява, силициевите нитридни керамични субстрати няма да се стопят и няма да започнат да се декомпозират, докато температурата достигне 1900 градуса.

-Механична сила

Silicon nitride ceramic substrates have high mechanical strength, and their bending strength can reach 800MPa. This makes silicon nitride ceramic substrates stable in situations where they are subjected to large mechanical stresses, such as for the manufacture of crucibles, muffle furnaces, and other parts in the metallurgical industry, as well as high-speed turning tools and bearings in the mechanical индустрия .

-Силикон нитрид субстратите имат повече от два пъти якостта на огъване на алуминиевия нитрид и алуминиевите субстрати

-Повече от три пъти топлопроводимостта на алуминиев оксид и ZTA субстрати

-Вигирана изолация и коефициент на термично разширение, съвпадащи с този на SI

-Кстулинг устойчивост на термичен удар и висока якост

Спецификации

Спецификации на силициев нитрид керамичен субстрат

Продукт	Si3N4 субстрат
Материал	Si3n4
Тип	персонализиран
Процес	Изостатично пресоване, високотемпературно синтероване, горещо изостатично натискане, прецизна обработка, повърхностно полиране
Грубост на повърхността	RA 0.6um

Размери за Si3N4 субстрат

L x W x T

50.8x50.8x0.32mm

140x190x0.5мм

Размерът на субстрата може да бъде персонализиран

Приложения и опаковане

Приложения

Silicon nitride ceramic substrates are widely used in semiconductors, aviation, atomic energy, and other industries due to their excellent insulation and high-temperature properties, such as manufacturing switch circuit substrates, film capacitors, radar antenna covers, etc. At the same time, it is also suitable for occasions that require a certain℃of heat dissipation and mechanical сила .

Опаковане

Si3N4 Substrates are fragile and need to be handled with care. The standard packaging of goods is wooden boxes to protect the material during loading, unloading, and transportation. Cartons are also used for small ceramic products.